دراسة تأثير التعرض الإشعاعي في خواص بعض العناصر الإلكترونية

Abstract

جرى في هذا البحث دراسة مفصلة لتأثير الإشعاع النووي بنوعيه الفوتوني (أشعة غاما) والجسيمي (النترونات) على ترانزستور الموسفت بنوعيه N-MOSFET و P-MOSFET وذلك برصد التغيرات الحاصلة على بارامتر جهد العتبة المستخلص من المنحنيات الكهربائية المميزة Ins - Vas للموسفت، وتبين أن تأثير التشعيع عامة على بنيته يكون تخريبياً، ويعمل على زيادة تراكيز الشحنات ومصائدها في البنية الداخلية للترانزستور مما يؤدي إلى تغيرات في الكمونات الداخلية فيؤثر في جهد العتبة الذي تتغير قيمته تغيراً يتناسب طرداً مع زيادة الجرعة الإشعاعية وتؤدي زيادة الجرعة إلى حد معين إلى تخريب كامل للموسفت أي انعدام التيار Ios مع زيادة الجهد Vas. تبين أن تخريب الترانزستور يتعلق بنوع الأشعة وطريقة التشعيع إذ وجد أن التشعيع دفعة واحدة بجرعة عالية له أثر تخريبي أكبر مقارنة فيما لو جزنت هذه الجرعة، كما تبين أن للنترونات تأثيراً تخريبياً أكبر من أشعة عاما، جرى أيضاً إخضاع بعض العينات المشععة لعملية تلدين حراري وذلك بغرض اختبار استعادة خصائصها الكهربائية المفقودة نتيجة التشعيع، ووجد أن استعادة الخصائص يتعلق بدرجة الحرارة ونوع الترانزستور، وتبين أن نسبة الاستعادة في النوع P-MOSFET أكبر من النوع N